英飞凌1200V IGBT4—性能优化的新一代功率半导体器件

发布时间：2013-03-18  新闻来源：伟兰达科技

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随着新型高效逆变器应用的市场日益增长，需要有一些专门优化的功率半导体出现。为此，英飞凌公司推出了新一代结合改进型射极控制二极管的1200V IGBT4系列产品，分别为针对低功率、中等功率和高功率IGBT模块提供了三款优化的芯片。这些IGBT模块是为满足各种不同应用所需的现代逆变器概念设计的。

这三款优化的芯片是：Inom=10-300A，具备快速开关性能，可用于低功率模块的IGBT4-T4；Inom=150-1000A具备较好的开关性能和导通特性，可用于中等功率模块的IGBT4-E4； Inom>900A，具备软化开关性能，可用于高功率模块的IGBT4-P4。本文主要介绍低功率和中功率版本的芯片。

衡量新一代芯片开发是否成功的两个标准当然是看其能否达到较低的静态和动态损耗。但IGBT4技术还有另一个优点，它将芯片的最高允许工作温度提高了25℃，达到Tvjop=150℃。表1对比了新型IGBT4和其上一代IGBT3的电性能。

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